當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會產生電位差,這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U,其表達式為：
U=KIB/d
式中,K為霍爾系數(shù),I為薄片中通過的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應強度,d是薄片的厚度。由此可見,霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比。
霍爾開關屬于有源磁電轉換器件,它是在霍爾效應原理的基礎上,利用集成封裝和組裝工藝制作而成,可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號,同時,又可滿足工業(yè)場合實際應用中易操作和可靠性的要求。
霍爾開關具有無觸點、低功耗、長使用壽命、響應頻率高等特點,其內部用環(huán)氧樹脂封灌成一體化,所以能在各類惡劣環(huán)境下可靠應用于接近開關、壓力開關、里程表等方面,是一種新型的電器配件
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